1. 使用内存卡的基本常识

）熟知你所用的手机数据格式、特点、构成；尽量避免手机自身不认识的文件而出的错对于卡的软件伤害进而变成硬件伤害，当然要变成后者也不是简单的事，时间长了反复出现会有硬件伤害这方面的可能性；

2）使用正品的数据线、读卡器来传输数据；也就是说卡的工作电源要稳定，电压忽高忽低对于卡的硬伤最厉害。经过手机传送时，传输前手机电池要有充足的电量，传输线不要有接触不良的情况，传输过程中尽量不要操作手机，计算机系统不要有病毒！

3）手机内存卡一旦通过读卡器和计算机连接后，不能随意拔掉或者断开和读卡器的连接。要用计算机系统关闭、断开它以后才能取出卡。在连接过程中遇到微机死机或者断不开卡的情况的时候要关闭微机电源后才能手工断开与读卡器的连接；文件拷贝时仔细观察读卡器等有指示灯的地方，你虽然发现在微机上显示拷贝已经完成，但是如果指示灯还在闪烁，说明正有文件传输着，这时不能强行断开和卡的连接，即使用微机软件断开也不是正确的操作方法，要等待指示灯不闪烁后才能正常操作；拷贝的文件尽量不要填满卡的容量，最好要留有一点空间对卡才有软件的保护；

4）保管和携带手机内存卡也是值得注意；到配电房、电镀厂、电焊机旁和医院的某些科室如：X光室、磁共振、CT室等，尽量不要携带卡去，或提前包装好放到金属盒子里面；还有防潮也要值得注意，内存卡是不防水的，一旦遇到水分暂时不要使用，放在通风的环境充分干燥后再使用。

2. 手机内存卡基本知识

Micro SD Card，原名Trans-flash Card(TF卡)，2004年正式更名为Micro SD Card，由SanDisk（闪迪）公司发明。

在Micro SD面市之前，手机制造商都采用嵌入式记忆体，虽然这类模组容易装设，然而有着无法应实际应潮流需求的困扰——容量被限制住了，无法再有升级空间。Micro SD仿效SIM卡的应用模式，即是同一张卡可以应用在不同型号的行动电话内，让行动电话制造商不用再为插卡式的研发设计而伤脑筋。

Micro SD卡足以堪称可移动式的储存IC。Micro SD卡是一种极细小的快闪存储器卡，其格式源自SanDisk创造，原本这种记忆卡称为T-Flash，及后改称为Trans Flash；而重新命名为Micro SD的原因是因为被SD协会 （SDA） 采立。

另一些被SDA采立的记忆卡包括Mini SD和SD卡。其主要应用于移动电话，但因它的体积微小和储存容量的不断提高，已经使用于GPS设备、便携式音乐播放器和一些快闪存储器盘中。

它的体积为 15mm x 11mm x1mm ，差不多相等于手指甲的大小，是现时最细小的记忆卡。它也能通过SD转接卡来接驳于SD卡插槽中使用。

现时MicroSD卡提供128MB、256MB、512MB、1G、2G、4G、8G、16G、32G、64G、128G的容量（MWC 2014 世界移动通信大会期间，SanDisk（闪迪）打破了储存卡最高64GB容量的传统，正式发布了一款容量高达128GB的 Micro SD XC 储存卡。

3. 请详细讲一下内存的知识

内存在电脑中起着举足轻重的作用。

内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）。只不过因为RAM是其中最重要的存储器。

通常所说的内存即指电脑系统中的RAM。RAM要求每时每刻都不断地供电，否则数据会丢失。

如果在关闭电源以后RAM中的数据也不丢失就好了，这样就可以在每一次开机时都保证电脑处于上一次关机的状态，而不必每次都重新启动电脑，重新打开应用程序了。但是RAM要求不断的电源供应，那有没有办法解决这个问题呢？随着技术的进步，人们想到了一个办法，即给RAM供应少量的电源保持RAM的数据不丢失，这就是电脑的休眠功能，特别在Win2000里这个功能得到了很好的应用，休眠时电源处于连接状态，但是耗费少量的电能。

按内存条的接口形式，常见内存条有两种：单列直插内存条（SIMM），和双列直插内存条（DIMM）。SIMM内存条分为30线，72线两种。

DIMM内存条与SIMM内存条相比引脚增加到168线。DIMM可单条使用，不同容量可混合使用，SIMM必须成对使用。

按内存的工作方式，内存又有FPA EDO DRAM和SDRAM（同步动态RAM）等形式。 FPA(FAST PAGE MODE)RAM 快速页面模式随机存取存储器：这是较早的电脑系统普通使用的内存，它每个三个时钟脉冲周期传送一次数据。

EDO(EXTENDED DATA OUT)RAM 扩展数据输出随机存取存储器：EDO内存取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，他每个两个时钟脉冲周期输出一次数据，大大地缩短了存取时间，是存储速度提高30%。EDO一般是72脚，EDO内存已经被SDRAM所取代。

S(SYSNECRONOUS)DRAM 同步动态随机存取存储器：SDRAM为168脚，这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使CPU和RAM能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据，速度比EDO内存提高50%。

DDR(DOUBLE DATA RAGE)RAM :SDRAM的更新换代产品，他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。 RDRAM(RAMBUS DRAM) 存储器总线式动态随机存取存储器；RDRAM是RAMBUS公司开发的具有系统带宽，芯片到芯片接口设计的新型DRAM，他能在很高的频率范围内通过一个简单的总线传输数据。

他同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。INTEL将在其820芯片组产品中加入对RDRAM的支持。

内存的参数主要有两个：存储容量和存取时间。存储容量越大，电脑能记忆的信息越多。

存取时间则以纳秒（NS）为单位来计算。一纳秒等于10^9秒。

数字越小，表明内存的存取速度越快。

4. 介绍有关SD卡的基本知识

SD卡（Secure Digital Memory Card）是一种基于半导体快闪记忆器的新一代记忆设备。

SD卡由日本松下、东芝及美国SanDisk公司于1999年8月共同开发研制。大小犹如一张邮票的SD记忆卡，重量只有2克，但却拥有高记忆容量、快速数据传输率、极大的移动灵活性以及很好的安全性。

SD卡在24mm*32mm*2.1mm的体积内结合了SanDisk快闪记忆卡控制与MLC(Multilevel Cell)技术和Toshiba（东芝）0.16u及0.13u的NAND技术，通过9针的接口界面与专门的驱动器相连接，不需要额外的电源来保持其上记忆的信息。而且它是一体化固体介质，没有任何移动部分，所以不用担心机械运动的损坏。

SD卡数据传送和物理规范由MMC发展而来，大小和MMC差不多，尺寸为32mm x 24mm x 2.1mm。长宽和MMC一样，只是厚了0.7mm，以容纳更大容量的存贮单元。

SD卡与MMC卡保持着向上兼容，也就是说，MMC可以被新的SD设备存取，兼容性则取决于应用软件，但SD卡却不可以被MMC设备存取。（SD卡外型采用了与MMC厚度一样的导轨式设计，以使SD设备可以适合MMC） SD接口除了保留MMC的7针外，还在两边加多了2针，作为数据线。

采用了NAND型Flash Memory，基本上和SmartMedia的一样，平均数据传输率能达到2MB/s。 SD卡的结构能保证数字文件传送的安全性，也很容易重新格式化，所以有着广泛的应用领域，音乐、电影、新闻等多媒体文件都可以方便地保存到SD卡中。

因此不少数码相机也开始支持SD卡。

5. 内存卡常识

U盘里面是储存芯片手机内存卡现在通常为TF卡，也叫micro SD卡，T-Flash卡，容量通常为256M-32G索爱部分老机型用的是自家的M2卡诺基亚以前有用过Mini SD卡， RS-MMC卡当然其他卡也有，只不过非常少，现在基本TF卡通用照相机里的卡一般都是SD卡，比较普及索尼的一般是M2,MS卡--------------------------------读卡器主要作用就是让计算机识别并对内存卡进行读写操作转接卡主要是转换接口，让设备兼容，比如TF转SD-------------------------------都是媒介的作用，只不过作用的地方不一样。

6. 手机内存卡知识 什么是SD卡

TF卡又称microSD，是一种极细小的快闪存储器卡，由SanDisk（闪迪）公司发明创立。这种卡主要于手机使用，但因它拥有体积极小的优点，随着不断提升的容量，它慢慢开始于GPS设备、便携式音乐播放器和一些快闪存储器盘中使用。它的体积为 15mm x 11mm x 1mm -

相当于手指甲盖的大小。

SD卡（Secure Digital Memory Card）中文翻译为安全数码卡，是一种基于半导体快闪记忆器的新一代记忆设备，它被广泛地于便携式装置上使用，例如数码相机、个人数码助理（PDA）和多媒体播放器等。SD卡由日本松下、东芝及美国SanDisk公司于1999年8月共同开发研制。大小犹如一张邮票的SD记忆卡，重量只有2克，但却拥有高记忆容量、快速数据传输率、极大的移动灵活性以及很好的安全性。

7. 主流手机存储卡选购小常识

下面，笔者简单的介绍7种在手机上应用比较广泛的存储卡，希望能对你选购手机存储卡提供一定的帮助。

主流手机存储卡种类介绍 SD卡 ：SD卡是一种基于半导体快闪记忆体的存储卡。标准体积为24毫米*32毫米*2.1毫米，重量仅为2克。

SD卡具有容量大、数据传输速度快、安全性强（防写入锁定功能）等优点。SD卡应用非常广泛，现已成为市场占有率最高的一种存储卡。

miniSD卡 ：顾名思义，miniSD卡是在SD卡的基础上“瘦身”而来的小型存储卡。配合专用适配器、miniSD卡就可以变身为SD卡。

需要指出的是，miniSD卡并不具备SD卡那样的防写入锁定功能。miniSD卡主要应用于windows mobile及S60第三版智能手机。

MMC卡：MMC卡是一种资格比较老的存储卡，可以兼容SD卡设备，对于多数应用SD卡机型的手机来说，MMC可以正常使用。外形尺寸约为32毫米*24毫米*1.4毫米，大小如同普通邮票一般。

重量不超过2克，便携性较强。MMC卡的工作电压分为1.8伏和3.6伏，选购时应该注意一下。

MMC卡的传输速度相对来说比较慢，新款手机很少采用MMC卡。 microSD卡：microSD卡又称TF卡，也是从SD卡的基础上改进而来的一种新型存储卡。

它的大小仅为SD卡的四分之一，是目前最小的存储卡。由于体积太小，microSD卡的最大容量受到了限制。

某些存储卡的容量已经达到了8GB，而市面上容量最大的microSD卡仅为2GB。另外，microSD卡内置版权保护管理系统，可以有效遏制恶意共享资源。

RS-MMC卡：RS-MMC卡又可称之为MMCmobile卡，是一种针对手机而研发的小型MMC卡。RS-MMC卡支持双电压运行，兼容性比MMC卡更好。

在传输速度、稳定性上要优于MMC卡，主要应用于诺基亚的S60第二版智能手机。 MS卡：MS卡俗称记忆棒，是索尼研发的一种存储卡。

分为长棒和短棒，短棒配合适配器可以变身为长棒。目前在手机上应用的MS卡都是短棒，而且仅为索爱手机所独享。

MS卡具有读取/写入速度快、可靠性高、防尘等优点。 M2卡 ：M2卡是MS卡的改进版，体积更小，更加适合作为新一代手机存储卡。

M2卡的体积仅为MS卡的四分之一，在安全性、传输速度等方面都有所改进，而且支持双电压运行，耗电量比MS卡要低一些。 手机存储卡的选购： 首先，确认要购买何种类型的存储卡。

手机说明书上会标明支持何种存储卡，选购存储卡之前先看一下。如果你的手机支持2种以上规格的存储卡，应该选购传输速度最快、最稳定的一种存储卡。

拿摩托罗拉E680i来说，尽管既支持SD卡又支持MMC卡，但考虑到SD卡在传输速度、稳定性等方面要优于MMC卡，就应该选购SD卡。另外，如果你的手机对存储卡的工作电压有所要求，在挑选存储卡的时候应该看看存储卡包装上的相关标注，以免选购到一款与你的手机不兼容的存储卡。

其次，尽量选择知名品牌的存储卡。存储卡市场需求旺盛，导致杂牌劣质存储卡大量流入市场。

这种杂牌劣质存储卡虽然价格很便宜，但工作不稳定，寿命比较短，严重的还有可能损坏手机。网友们在挑选存储卡的时候一定要选择（SanDisk /索尼/Kingmax等）知名品牌的存储卡，不要为了图便宜而购买杂牌劣质存储卡。

再次，擦亮眼睛，拒绝假货。目前市场有不少“挂着羊头卖狗肉”的假冒存储卡。

这类存储卡看上去是名牌，其实是一些小作坊生产的劣质产品。那么该如何识别假冒存储卡呢？主要有三点，一是要注意包装和做工。

假冒存储卡的包装和做工比较粗糙，和正品存储卡放在一起对比明显。二是要注意防伪标识。

知名品牌的存储卡包装上一般会印有带有认证电话和识别码的防伪标识，你可以拨打认证电话进行正品验证。三是要看价格。

假冒存储卡的价格一般要比正品便宜一半以上。

8. 内存常识问题,内存型号代表什么意思

指的是内存条型号。

是双倍速率同步动态随机存储器DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。DDR1把老的存储技术 DDR 称为 DDR1 ，使之与 DDR2 加以区分。

尽管一般是使用 "DDR" ，但 DDR1 与 DDR 的含义相同。DDR1规格DDR-200: DDR-SDRAM 记忆芯片在100 MHz下运行 DDR-266: DDR-SDRAM记忆芯片在133 MHz下运行 DDR-333: DDR-SDRAM 记忆芯片在166 MHz下运行 DDR-400: DDR-SDRAM 记忆芯片在200 MHz下运行（JEDEC制定的DDR最高规格） DDR-500: DDR-SDRAM 记忆芯片在250 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格） DDR-600: DDR-SDRAM 记忆芯片在300 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格） DDR-700: DDR-SDRAM 记忆芯片在350 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）DDR2DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。

它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达 667MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良 .DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）DDR2内存的频率进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据预读取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

DDR3与DDR2几个主要的不同之处 ：1.突发长度（Burst Length,BL）由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length,BL）也固定为8DDR3，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

2.寻址时序（Timing）就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2~5之间，而DDR3则在5~11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。

DDR2时AL的范围是0~4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数--写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。

另外内存同步时外频频率跟内存型号的关系图：表4.内存同步时外频频率跟内存型号的关系3.DDR3新增功能重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。

这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。

在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

4.DDR3新增ZQ校准功能ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine,ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。

当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。参考电压分成两个在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。

点对点连接（Point-to-Point,P2P）这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。DDR3双列直插内存模块在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point,P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。

而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3。