1. 一个单片机系统,频率12M,有数字部分,又有模拟部分,为抑制干

模拟电路涉及弱小信号，但是数字电路门限电平较高，对电源的要求就比模拟电路低些。既有数字电路又有模拟电路的系统中，数字电路产生的噪声会影响模拟电路，使模拟电路的小信号指标变差，克服的办法是分开模拟地和数字地。

对于低频模拟电路，除了加粗和缩短地线之外，电路各部分采用一点接地是抑制地线干扰的最佳选择，主要可以防止由于地线公共阻抗而导致的部件之间的互相干扰。

而对于高频电路和数字电路，由于这时地线的电感效应影响会更大，一点接地会导致实际地线加长而带来不利影响，这时应采取分开接地和一点接地相结合的方式。

另外对于高频电路还要考虑如何抑制高频辐射噪声，方法是：尽量加粗地线，以降低噪声对地阻抗；满接地，即除传输信号的印制线以外，其他部分全作为地线。不要有无用的大面积铜箔。

地线应构成环路，以防止产生高频辐射噪声，但环路所包围面积不可过大，以免仪器处于强磁场中时，产生感应电流。但如果只是低频电路，则应避免地线环路。数字电源和模拟电源最好隔离，地线分开布置，如果有A/D，则只在此处单点共地。

低频中没有多大影响，但建议模拟和数字一点接地。高频时，可通过磁珠把模拟和数字地一点共地。

如果把模拟地和数字地大面积直接相连，会导致互相干扰。不短接又不妥，理由如上有四种方法解决此问题∶1、用磁珠连接；2、用电容连接；3、用电感连接；4、用0欧姆电阻连接。

磁珠的等效电路相当于带阻限波器，只对某个频点的噪声有显着抑制作用，使用时需要预先估计噪点频率，以便选用适当型号。对于频率不确定或无法预知的情况，磁珠不合。

电容隔直通交，造成浮地。

电感体积大，杂散参数多，不稳定。

0欧电阻相当于很窄的电流通路，能够有效地限制环路电流，使噪声得到抑

制。电阻在所有频带上都有衰减作用（0欧电阻也有阻抗），这点比磁珠强

2. STC89C52 可以测多大的频率,晶振为12M

用单片机测外部的频率？

89C52的单片机是12个机器周期为1个指令周期。晶振为12M，也就是1个指令周期的时间为1uS，故理论上最多能测0.5M的外部频率（要分别读到高电平周期与低电平周期），但由于实际上不会刚好1个指令读取1个数据，因为读了数据还要储存，要好几条指令才能读取1个数据。所以个人以为100KHz就是极限了。

如果要测的频率高一些，可以采用1指令周期=1机器周期的单片机。STC新出的也有这种单片机。

3. 怎么计算单片机中的下列的延迟函数（12M）

一般先写一个延时几个毫秒的子程序，很简单。

void delay( int ms )

{

while( ms-- )

{

int i = 延时常数；

do { _nop_(); } while( --i );

}

}

要延时一秒钟，就是1000ms,delay( 1000 );

几个注意事项，

1、延时程序没有关中断，所以中断程序会影响定时精度。

2、延时常数可以用软仿真程序实验确定，需要根据不同的单片机、晶振频率调整延时常数。

3、想要适用任意型号单片机，内层循环最好加一句空操作，通常这可以阻止编译时优化程序。

4. 求一段C语言程序,已知单片机晶振频率12M,让单片机的P1.0和P1.1

这个是不可能的。

首先，51单片机是每12个时钟周期作一个指令周期。虽然你的晶振是12MHz的，但是你的指令频率只有1M。

第二，按照最快的来算，第一个周期P1.0设高，下个周期设低，那你的输出周期只有0.5MHz，还不算循环体需要占的频率。

第三，一般如果用外部时钟晶振的话，应该有不同的接发，根据不同的单片机接法不同。

第四，单片机对时钟的占空比是有要求的。得用示波器检查一下频率和占空比是否满足单片机的要求。

5. 怎样对单片机编程实现精确1s的延时

#include

void delay ()

{

unsigned char i,j,k;

for(k=7;k>=1;k--)

for(j=255;j>=1;j--)

for(i=255;i>=1;i--);

for(j=164;j>=1;j--)

for(i=255;i>=1;i--);

for(i=66;i>=1;i--);

}

void main()

{ delay();

while(1);

}